一、建设概况
2016年9月,合肥蓝光联合北京大学宽禁带半导体研究中心、合肥新站高新区管委会,正式成立“彩虹蓝光——北京大学宽禁带半导体协同创新中心”。中心依托合肥彩虹蓝光科技有限公司产业化平台,充分发挥北京大学宽禁带半导体研究中心的研发优势和人才优势,重点开展第三代半导体产业发展相关的高新技术研发,加快推动科研成果的产业转化。

二、研究方向
 重点开展半导体光电产业发展相关的高新技术研发,加快推动科研成果的产业转化,是我国第三代半导体研发及产业化的重要创新平台。

三、研究成果
1、6吋Si衬底上GaN基功率材料和器件技术研发项目,实现了6吋Si衬底上GaN外延材料;申请发明专利6项,发表相关论文5篇。
2、深紫外光LED研发和产业化项目,开发了纳米图形衬底,并基于NPSS上生长AlN的材料,晶体质量国际领先;实现了深紫外LED全结构的开发。
3、开发了2吋碳化硅衬底GaN射频功率器件外延材料。
4、顺利完成6寸硅衬底氮化镓外延材料等三项新技术的中国电子科技委鉴定,鉴定专家组组长由国内资深院士郑有炓院士担任,其中6吋Si衬底材料技术,整体性能指标处于国内领先水平,部分指标达到国际先进水平。


 
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